F3L200R07W2S5FP EasyPACK™ IGBT Modules

Infineon Technologies F3L200R07W2S5FP EasyPACK™ IGBT Modules feature up to 650V increased blocking voltage capability and employ CoolSiC™ Schottky diode (gen5). These devices are based on TRENCHSTOP™ IGBT5  and PressFIT contact technology. The F3L200R07W2S5FP IGBT modules provide strongly reduced switching losses and an Al2O3 substrate with low thermal resistance. These modules come with a compact design comprising rugged mounting due to integrated mounting clamps and pre-applied thermal interface material. The F3L200R07W2S5FP IGBT modules are ideal for motor drives, solar applications, 3-level applications, and UPS systems.  

Resultados: 3
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Producto Configuración Voltaje colector-emisor VCEO máx. Voltaje de saturación colector-emisor Corriente continua del colector a 25 C Corriente de fuga puerta-emisor Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Empaquetado
Infineon Technologies Módulos IGBT 650 V, 200 A 3-level IGBT module Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 650 V 1.17 V 200 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 650 V, 200 A 3-level IGBT module No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 18
Múlt.: 18

Tray
Infineon Technologies F3L200R07W2S5FPB56BPSA1
Infineon Technologies Módulos IGBT 650 V, 200 A 3-level IGBT module No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 18
Múlt.: 18

Tray