QH8M Dual Nch+Pch Small Signal MOSFETs

ROHM Semiconductor QH8M Dual Nch+Pch Small Signal MOSFETs support 40V or 60V withstand voltage and combine ultra-low on-resistance Nch+Pch MOSFETs in one small, surface-mount TSMT8 package. This series is designed for 24V input equipment such as factory automation equipment and motors mounted on base stations (cooling fans). These devices contribute to lower power consumption of the equipment. The QH8MB5 offers 44mΩ/41mΩ RDS(on) maximum and ±4.5A/±5A drain current ID while the QH8MC5 offers 90mΩ/91mΩ RDS(on) maximum and ±3A /3.5A drain current ID. ROHM Semiconductor QH8M Dual Nch+Pch Small Signal MOSFETs feature 1.5W power dissipation, Pb-free plating, and RoHS compliance. The QH8M series is ideal for switching applications.

Resultados: 2
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Empaquetado
ROHM Semiconductor MOSFET 60V 3.0A/3.5A, Dual Nch+Pch, TSMT8, Power MOSFET 26.879En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT TSMT-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 60 V 3 A, 3.5 A 90 mOhms, 91 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.1 nC, 17.3 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TSMT8 NPCH 40V 4.5A 2.195En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT TSMT-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 40 V 4.5 A, 5 A 44 mOhms, 41 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.5 nC, 17.2 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement Reel, Cut Tape