40V Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 40V Enhancement Mode MOSFETs are low-voltage MOSFETs with an on-resistance of under 1Ω. These low-voltage MOSFETs are qualified based on the AEC-Q101 standard, commonly required for automotive-grade devices. The 40V enhancement mode MOSFETs are Lead-free and compliant with EU RoHS 2.0. Typical applications include low-power system products, such as notebooks, PC motherboards, tablets, and other portable consumer products.

Resultados: 59
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Empaquetado
Panjit MOSFET 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 40 V 45 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 19 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 36 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 40 V 154 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 40 V 190 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 75 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 48 A 8.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 13 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 83.3 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 150 C 43.2 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFET 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 36 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 40 V 50 A 17.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET No en almacén Plazo producción 14 Semanas

Si SMD/SMT DFN-5060B-8 N-Channel 2 Channel 40 V 37 A 12.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 13 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement AEC-Q101 Reel