Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

¿Ve algún error?

IGOT65R055D2AUMA1

Name: Infineon IGOT65R055D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGOT65R055D2AUMA
Price: 5.93 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

726-IGOT65R055D2AUMA

Fabr. N.º:

IGOT65R055D2AUMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

FET de GaN HV GAN DISCRETES

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

IGOT65R055D2AUMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre Infineon Technologies IGOT65R055D2AUMA1

En existencias: 730

Existencias:: 730 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 26 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	5,93 €	5,93 €
	4,34 €	43,40 €
	3,51 €	351,00 €
	3,12 €	1.560,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 800)
	2,67 €	2.136,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad de transistor:	HEMT
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	66 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.6 V
Qg (carga de compuertas):	6.6 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	83 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	Power Transistors
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	GaN Power Transistor

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

IGOT65R055D2AUMA1 Hoja de datos (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolGan™ 600V e-Mode Power Transistors

Infineon Technologies CoolGan™ 600V Enhancement Mode (e-Mode) Power Transistors enable simpler half-bridge topologies with fast turn-on and turn-off speeds. The rugged and reliable transistors are available in high-performing SMD packages to fully exploit the benefits of GaN. The transistors feature high efficiency, high power density, higher operating frequency capability, and reduced EMI. Applications include telecom / datacom / server SMPS, wireless charging, chargers, and adapters.

CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors feature highly efficient GaN (gallium nitride) transistor technology for power conversion in a voltage range up to 650V. Infineon’s GaN technology brings the e‑mode concept to maturity with high volumes of end-to-end production. This pioneering quality ensures the highest standards and offers the most reliable performance. The enhancement mode CoolGaN™ Gen 2 650V power transistors improve system efficiency and power density with ultra-fast switching.