Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are small-footprint and compact MOSFETs with low RDS(on) and low capacitance. The low RDS(on) value helps to minimize conduction losses, and low capacitance minimizes driver losses. These single N-channel power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant and feature a -55°C to +175°C operating temperature range.

Resultados: 38
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Nombre comercial Empaquetado
onsemi MOSFET MOSFET, Power, Single N-Channel, 30V, SO-8FL 118En existencias
1.500Fecha prevista: 07/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 337 A 740 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 50 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 40V, 237A, 1.2mohm 475En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 237 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 93 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 60V SG PQFN8x8 EXPANSI 848En existencias
6.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000
Si SMD/SMT Power-88-8 N-Channel 1 Channel 60 V 398.2 A 810 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 165 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V 2.915En existencias
1.500Fecha prevista: 23/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 27 A 17.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6.3 nC - 55 C + 175 C 23 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi NTMFS0D5N03CT1G
onsemi MOSFET MOSFET, Power, Single N-Channel, 30V, SO-8FL 843En existencias
1.500Fecha prevista: 05/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 464 A 520 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 80 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET MOSFET - Single N-Channel Power, N-Channel, u8FL, 30V, 162 A, 2.25 mohm 914En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 162 A 2.25 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 20 nC - 55 C + 175 C 3.2 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 650V 64MOHM MOSFET
6.000Fecha prevista: 16/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT TDFN-4 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 64 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 82 nC - 55 C + 150 C 260 W Enhancement SuperFET III Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T6 40V LL LFPAK
3.000Fecha prevista: 13/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 258 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 52 nC - 55 C + 175 C 134 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V 1.500Disponible de fábrica
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 362 A 700 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 149 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFET Power MOSFET, 60 V, 1.1 mohm, 342 A, Single N-Channel, D2PAK7 Power MOSFET, 60 V, 1.0 m?, 363 A, Single N-Channel, D2PAK7 No en almacén Plazo producción 34 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 60 V 342 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 139 nC - 55 C + 175 C 3.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET MOSFET, Power, 30V N-Channel, SO8-FL No en almacén Plazo producción 37 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 170 A 1.74 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 48 nC - 55 C + 175 C 87 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T6 40V LL LFPAK No en almacén Plazo producción 36 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 330 A 820 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 66 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel
onsemi MOSFET TRENCH 6 40V SL NFET No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 920 uOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 86 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement Reel