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M1P45M12W2-1LA

Name: STMicroelectronics M1P45M12W2-1LA
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-M1P45M12W2-1LA
Price: 51.81 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-M1P45M12W2-1LA

Fabr. N.º:

M1P45M12W2-1LA

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 1200 V, 47.5 mOhm SiC MOSFET NTC

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	51,81 €	51,81 €
	40,55 €	446,05 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Press Fit
Empaquetado / Estuche:	ACEPACK DMT-32
Número de canales:	6 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	30 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	60.5 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 22 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Altura:	5.9 mm
Longitud:	44.5 mm
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Cualificación:	AQG-324
Cantidad del paquete de fábrica:	11
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	Power Module
Anchura:	27.9 mm

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

M1P45M12W2-1LA ACEPACK DMT‑32 Power Module

STMicroelectronics M1P45M12W2-1LA ACEPACK DMT‑32 Power Module realizes a six-pack topology with integrated NTC tailored for the DC/DC converter stage of the OBC. This power module is used in On-Board Charger (OBC). The M1P45M12W2-1LA power module guarantees the optimal balance between energy losses and high switching frequency operation mode. This power module creates complex topologies with very high power densities and high-efficiency requirements. This power module AQG 324 qualified. The M1P45M12W2-1LA power module features six silicon carbide Power MOSFETs of 2^nd generation.