DMTH6005 N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Inc. DMTH6005 N-channel Enhance Mode MOSFETs minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and maintain superior switching performance. The DMTH6005 MOSFETs offer a maximum of 5.5mΩ @ VGS = 10V RDS(ON), a drain-source breakdown voltage of 60V, and 100% unclamped inductive switching. Rated at 175ºC, these MOSFETs are ideal for high ambient temperature environments. DMTH6005LPSQ is automotive qualified to AEC-Q101 and supports PPAP. Applications for the DMTH6005 MOSFETs include high-frequency switching, synchronous rectification, and DC-DC converters.

Resultados: 5
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Empaquetado
Diodes Incorporated MOSFET 60V 175c N-Ch FET 5.5mOhm 10Vgs 100A 2.679En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 47.1 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V 30En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-220-3 Tube
Diodes Incorporated MOSFET 60V 175c N-Ch FET 5.5mOhm 10Vgs 100A 1.904En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 20.6 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 47.1 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 5.826En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 47.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V 1.327En existencias
2.500Fecha prevista: 15/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 47.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel