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NTTFS6H850NLTAG

Name: onsemi NTTFS6H850NLTAG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS6H850NLTAG
Price: 1.5 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NTTFS6H850NLTAG

Fabr. N.º:

NTTFS6H850NLTAG

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET 80V 108A 8.66m?Ohm Single N-Channel

Hoja de datos:

NTTFS6H850NLTAG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Pedido:: 1.500

Fecha prevista: 06/12/2027
Plazo de producción de fábrica:: 52

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

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-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,50 €	1,50 €
	0,946 €	9,46 €
	0,629 €	62,90 €
	0,493 €	246,50 €
	0,394 €	394,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
	0,394 €	591,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	WDFN-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	80 V
Id: corriente de drenaje continuo:	64 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	8.6 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2 V
Qg (carga de compuertas):	26 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	73 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	5 ns
Transconductancia delantera: mín.:	64.1 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	21 ns
Serie:	NTTFS6H850NL
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	26 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	9 ns
Peso unitario:	29,570 mg

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: Japón

El país puede cambiar en el momento del envío.

NTTFS6H850NL Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NTTFS6H850NL Single N-Channel Power MOSFET offers a low drain-to-source ON-Resistance and low capacitance to minimize driver losses. The NTTFS6H850NL MOSFET features a small 3.3mm x 3.3mm footprint for compact and efficient designs and is Pb-free and RoHS compliant.

Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (R_DS(ON), ultra-low gate charge (Q_g), and low (Q_g) x R_DS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Q_g and Q_oss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).