NTTFS6H850NLTAG

onsemi
863-NTTFS6H850NLTAG
NTTFS6H850NLTAG

Fabr.:

Descripción:
MOSFET 80V 108A 8.66m?Ohm Single N-Channel

Modelo ECAD:
Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

En existencias: 4.650

Existencias:
4.650 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
24 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Empaquetado:
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Cinta / MouseReel™
1,25 € 1,25 €
0,797 € 7,97 €
0,548 € 54,80 €
0,436 € 218,00 €
0,427 € 427,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
0,354 € 531,00 €
0,325 € 975,00 €
† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver.

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
WDFN-8
N-Channel
1 Channel
80 V
64 A
8.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
26 nC
- 55 C
+ 175 C
73 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: onsemi
Configuración: Single
Tiempo de caída: 5 ns
Transconductancia delantera: mín.: 64.1 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 21 ns
Serie: NTTFS6H850NL
Cantidad del paquete de fábrica: 1500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 26 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 9 ns
Peso unitario: 29,570 mg
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla
Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

NTTFS6H850NL Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NTTFS6H850NL Single N-Channel Power MOSFET offers a low drain-to-source ON-Resistance and low capacitance to minimize driver losses. The NTTFS6H850NL MOSFET features a small 3.3mm x 3.3mm footprint for compact and efficient designs and is Pb-free and RoHS compliant.

Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (RDS(ON), ultra-low gate charge (Qg), and low (Qg) x RDS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Qg and Qoss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).