MOSFET de potencia de la serie EF SiHx28N60EF / SiHx33N60EF

Los MOSFET de potencia de la serie EF SiHx28N60EF / SiHx33N60EF EF de Vishay son MOSFET de potencia de canal N con diodo de activación rápida, de 600 V, desarrollados para topologías PWM de conmutación suave / ZVS, como puentes de cambio de fase y medios puentes de convertidor LLC. Los MOSFET de potencia de la serie EF SiHx28N60EF / SiHx33N60EF aumentan la fiabilidad en estas aplicaciones gracias a un nivel de Qrr 10 veces más bajo que los MOSFET estándar. Estos dispositivos recuperan la capacidad de bloqueo de la tensión de ruptura completa con más rapidez, lo que contribuye a evitar fallos provocados por saturación y sobrecarga térmica. Asimismo, la reducción del nivel de Qrr ofrece menores pérdidas de recuperación inversa en comparación con los MOSFET estándar. La resistencia de encendido y la carga de compuertas muy bajas del dispositivo proporcionan pérdidas de conducción y conmutación extremadamente reducidas para ahorrar energía en aplicaciones de modo de conmutación de alta potencia y alto rendimiento. La serie se basa en la tecnología de máxima unión de la serie E, es totalmente resistente a avalanchas (UIS) y se ofrece en paquetes TO-220, TO-263, TO-220F y TO-247AC.
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