SIR680ADP-T1-RE3

Vishay Semiconductors
78-SIR680ADP-T1-RE3
SIR680ADP-T1-RE3

Fabr.:

Descripción:
MOSFET N-CHANNEL 80V PowerPAK SO-8

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Empaquetado:
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Cinta / MouseReel™ †
2,69 € 2,69 €
1,75 € 17,50 €
1,21 € 121,00 €
1,01 € 505,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
0,86 € 2.580,00 €
0,842 € 7.578,00 €
† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Vishay
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
N-Channel
1 Channel
80 V
125 A
2.88 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
43 nC, 55 nC
- 55 C
+ 150 C
104 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Vishay Semiconductors
Configuración: Single
Tiempo de caída: 9 ns, 12 ns
Transconductancia delantera: mín.: 68 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 8 ns, 15 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: N - Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 30 ns, 30 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 17 ns, 19 ns
Peso unitario: 506,600 mg
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SiR680ADP N-Channel (D-S) MOSFET

Vishay SiR680ADP N-Channel (D-S) MOSFET is a TrenchFET® Gen IV power MOSFET featuring low RDS - Qg Figure Of Merit (FOM). This MOSFET is tuned for the lowest RDS to Qoss FOM and 100% Rg and UIS tested. The SiR680ADP MOSFET operates within a -55°C to +150°C temperature range. This MOSFET features an 80V drain-source voltage, ±20V gate-source voltage, and 125A pulse drain current. The SiR680ADP MOSFET comes in a PowerPAK SO-8 package. This MOSFET is ideal for synchronous rectification of primary side switches, DC/DC converters, OR-ing, power supplies, and motor drive control.

MOSFET de canal N TrenchFET Gen IV

Los MOSFET de canal N TrenchFET® Gen IV deVishay Siliconix son MOSFET de alimentación de canal N de la familia TrenchFET® de última generación de Vishay. Estos nuevos dispositivos utilizan un diseño de alta densidad y los SiRA00DP, SiRA02DP, SiRA04DP, y SiSA04DN ofrecen la resistencia de encendido más baja del sector de 1,35 mΩ a 4,5 V, y una baja carga de compuerta total en los paquetes SO-8 y 1212-8 PowerPAK®. Sus prestaciones incluyen un RDS(activo)bajo, que adapta la tensión a menores pérdidas de conducción para reducir el consumo de energía, una relación Qdg/Qgs muy baja de 0,5 o inferior, y los paquetes 1212-8 PowerPAK® con una eficiencia similar y un tercio de su tamaño. Las aplicaciones habituales incluyen convertidores CC/CC de alta potencia, rectificación síncrona, convertidores de tipo buck síncronos y OR-ing.
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