Todos los resultados (11)

Seleccione una categoría a continuación para ver las opciones de filtrado y limitar la búsqueda.
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
1.137En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

ROHM Semiconductor MOSFET de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
389En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

ROHM Semiconductor MOSFET de SiC N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
110En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
685En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

ROHM Semiconductor MOSFET de SiC N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
149En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

ROHM Semiconductor MOSFET de SiC N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
Hoja de datos
872En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

ROHM Semiconductor MOSFET de SiC N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
60En existencias
1.350Fecha prevista: 28/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
28En existencias
450Fecha prevista: 02/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
24En existencias
3.150Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

ROHM Semiconductor MOSFET de SiC 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
Hoja de datos
1.190Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

ROHM Semiconductor Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía Evaluation Board for BD7682FJ-LBE2
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1