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TK110N65Z,S1F

Name: Toshiba TK110N65Z,S1F
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK110N65ZS1F
Price: 6.46 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

757-TK110N65ZS1F

Fabr. N.º:

TK110N65Z,S1F

Fabr.:

Toshiba

Descripción:

MOSFET MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI

Hoja de datos:

TK110N65Z,S1F Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	3,75 €	37,50 €
	3,74 €	448,80 €
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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	24 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	110 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	40 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	190 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Toshiba
Tiempo de caída:	4 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	35 ns
Serie:	DTMOS VI
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	90 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	62 ns
Peso unitario:	6 g

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TK110N65Z,S1F Hoja de datos (PDF)

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Product Catalogs

Selection Guide 2024 - MOSFETs

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

TK110N65Z DTMOSVI Power MOSFET

Toshiba TK110N65Z DTMOSVI Power MOSFET features a low drain-source on-resistance of R_DS(ON) = 0.092Ω (typ.). The MOSFET has high-speed switching properties, lower capacitance, and an enhancement mode of Vth = 3V to 4V (V_DS = 10V, I_D = 1.02mA). The Toshiba TK110N65Z is ideal for switching power supply applications.

DTMOSVI MOSFETs

Toshiba DTMOSVI MOSFETs offer a low drain-source on-resistance of 0.033Ω (typical), a drain-source voltage of 650V, and a drain current of 57A. The DTMOSVI MOSFETs offer high-speed switching properties with lower capacitance. These MOSFETs are ideal for use in switching power supply applications.

650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs

Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs are designed to operate in switching power supplies. These N-channel MOSFETs feature high-speed switching properties with lower capacitance. The Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs silicon MOSFETs offer a typical 0.092Ω to 0.175Ω low drain-source on-resistance. These devices feature a drain-source voltage of 10V.