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IXFP34N65X2W

Name: IXYS IXFP34N65X2W
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFP34N65X2W
Price: 6.4 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

747-IXFP34N65X2W

Fabr. N.º:

IXFP34N65X2W

Fabr.:

IXYS

Descripción:

MOSFET 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-220

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

IXFP34N65X2W Hoja de datos (PDF)

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Plazo de producción de fábrica:: 29

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	6,40 €	6,40 €
	4,52 €	45,20 €
	3,76 €	376,00 €
	3,04 €	1.520,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	34 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	100 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5 V
Qg (carga de compuertas):	64 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	540 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	31 ns
Transconductancia delantera: mín.:	18 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	52 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	66 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	38 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de potencia IXFP34N65X2W

IXYS IXFP34N65X2W Power MOSFET is a 650V, 100mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET developed using the charge compensation principle and proprietary process technology. This N-channel power MOSFET exhibits low on-state resistance and low gate charges, along with superior dv/dt performance. The IXFP34N65X2W MOSFET features high power density, and the avalanche capability enhances the device's ruggedness. In addition to the fast soft-recovery body diode, the ultra-junction MOSFET helps to reduce switching losses and Electro-Magnetic Interference (EMI). The IXFP34N65X2W MOSFET is used in switch-mode and resonant-mode power supplies, DC-DC converters, PFC circuits, AC and DC motor drives, robotics, and servo control applications.

Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.