Módulos híbridos Si/SiC NXH450B100H4Q2

Los módulos híbridos Si/SiC NXH450B100H4Q2 de onsemi  contienen dos IGBT de 1000 V y 150 A, dos diodos SiC de 1200 V y 30 A, dos diodos de derivación de 1600 V y 30 A, y un termistor NTC. Estos módulos híbridos Si/SiC ofrecen una pérdida de conmutación baja, una disipación de potencia del sistema reducida, una distribución inductiva baja, ajuste a presión y opciones de pines de soldadura. Los módulos híbridos NXH450B100H4Q2 ofrecen un intervalo de temperaturas de almacenamiento comprendido entre -40°C y 125°C y un intervalo de temperaturas de funcionamiento comprendido entre -40°C y 125°C en condiciones de conmutación. Estos módulos híbridos Si/SiC son ideales para su uso en inversores solares y sistemas de alimentación ininterrumpibles.