QPD0020 GaN RF Power Transistors

Qorvo QPD0020 GaN RF Power Transistors are 35W unmatched discrete GaN on SiC HEMT which operates from DC to 6GHz on a +48V supply rail. The devices are suited for base station, radar, and communications applications. The transistors support CW and pulsed mode of operations. The QPD0020 can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for small cell, microcell, and active antenna systems. The QPD0020 can also be used as a driver in a macrocell base station power amplifier.

Tipos de Semiconductores
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS
Qorvo Transistores bipolares RF DC-6 GHz, 35 Watt, 48 Volt GaN RF Power Transistor
Hoja de datos
100En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 100

Qorvo FET de GaN DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 500
Múlt.: 500
Bobina: 500