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QPD0020TR7

Name: Qorvo QPD0020TR7
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD0020TR7
Price: 80.82 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

772-QPD0020TR7

Fabr. N.º:

QPD0020TR7

Fabr.:

Qorvo

Descripción:

FET de GaN DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor

Hoja de datos:

QPD0020TR7 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Pedido:: 500

Fecha prevista: 11/09/2026
Plazo de producción de fábrica:: 16

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Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

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Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	80,82 €	80,82 €
	80,01 €	800,10 €
	62,83 €	1.570,75 €
	49,57 €	4.957,00 €
	44,27 €	11.067,50 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 500)
	42,58 €	21.290,00 €

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

QPD0020

Embalaje:

Reel, Cut Tape

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

74,21 €

Min:

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Fabr.:

Qorvo

Fabr. N.º:

QPD0020

Descripción:

Transistores bipolares RF DC-6 GHz, 35 Watt, 48 Volt GaN RF Power Transistor

Ciclo de vida:

Disponibilidad limitada: Este número de referencia ya no está disponible en Mouser. El producto puede tener la distribución limitada o estar en un pedido especial de fábrica.

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	QFN-20
Marca:	Qorvo
Configuración:	Single
Kit de desarrollo:	QPD0020EVB02
Ganancia:	16.7 dB
Frecuencia operativa máxima:	2.69 GHz
Frecuencia operativa mínima:	2.62 GHz
Energía de salida:	34.7 W
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	QPD0020
Cantidad del paquete de fábrica:	500
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	HEMT
Alias de parte #:	QPD0020

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Hoja de datos

QPD0020TR7 Hoja de datos (PDF)

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Códigos de cumplimiento

USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

QPD0020 GaN RF Power Transistors

Qorvo QPD0020 GaN RF Power Transistors are 35W unmatched discrete GaN on SiC HEMT which operates from DC to 6GHz on a +48V supply rail. The devices are suited for base station, radar, and communications applications. The transistors support CW and pulsed mode of operations. The QPD0020 can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for small cell, microcell, and active antenna systems. The QPD0020 can also be used as a driver in a macrocell base station power amplifier.