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RF6L025BGTCR

Name: ROHM Semiconductor RF6L025BGTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RF6L025BGTCR
Price: 0.58 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-RF6L025BGTCR

Fabr. N.º:

RF6L025BGTCR

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET SOT363 N-CH 60V 2.5A

Hoja de datos:

RF6L025BGTCR Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	0,585 €	0,59 €
	0,36 €	3,60 €
	0,231 €	23,10 €
	0,175 €	87,50 €
	0,157 €	157,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,13 €	390,00 €
	0,12 €	720,00 €
	0,114 €	1.026,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOT-363T-6
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	2.5 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	91 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	3.1 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	1 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	3.1 ns
Transconductancia delantera: mín.:	1.3 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	4.8 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	13 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	5.3 ns

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Atributos seleccionados: 0

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RF6L025BGTCR Hoja de datos

Specification Sheets

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RF6L025BG Power MOSFET

ROHM Semiconductor RF6L025BG Power MOSFET features 60V drain-source voltage (V_DSS) and ±2.5A continuous drain current (I_D). This N-channel MOSFET offers 91mΩ low on-resistance (R_DS(on)) and power dissipation of 1W (P_D). The RF6L025BG MOSFET operates within the -55°C to 150°C operating junction and storage temperature range and is available in a Halogen-free, small surface mount package (TUMT6 or SOT-363T). This RoHS-compliant device incorporates Pb-free plating. The RF6L025BG power MOSFET is suitable for switching, motor drives, and DC/DC converter applications.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.