STDRIVEG212 220V Half-Bridge Gate Driver

STMicroelectronics STDRIVEG212 220V High-Speed Half-Bridge Gate Driver is optimized for 5V driving enhanced-mode GaN HEMTs. The high-side driver section is designed to support a voltage rail of up to 220V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. High-current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG212 optimized for driving high-speed GaN.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Producto
Tipo
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Número de controladores
Número de salidas
Corriente de salida
Tensión del suministro - Mín
Tensión del suministro - Máx
Configuración
Tiempo de establecimiento
Tiempo de caída
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Empaquetado
STMicroelectronics Controlador de puerta High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
Hoja de datos
668En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Gate Driver Half-Bridge SMD/SMT QFN-18 2 Driver 3 Output 1.8 A 10.3 V 18 V Inverting, Non-Inverting 22 ns 13 ns - 40 C + 125 C Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Controlador de puerta High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 4.900
Múlt.: 4.900
Tray