Resultados: 11
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC
Hoja de datos
450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 118 A 28 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V 373 nC - 55 C + 175 C 715 W Enhancement DIF120SIC028
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 150A, 650V, 15m?, 175DegC
Hoja de datos
450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 150 A 15 mOhms - 4 V, + 15 V 4 V 236 nC - 55 C + 175 C 550 W Enhancement DIW065SIC015
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC
Hoja de datos
450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 49 mOhms - 5 V, + 18 V 4 V 128 nC - 55 C + 175 C 550 W Enhancement DIW065SIC049
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC
Hoja de datos
447En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 80 mOhms - 5 V, + 18 V 4 V 75 nC - 55 C + 175 C 175 W Enhancement DIW065SIC080
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC 1200V TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3m?, 175 Deg C
Hoja de datos
438En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 120 A 22.3 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 269 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement DIF120SIC022
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC SiC MOSFET, TO-247-4L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive
Hoja de datos
450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 120 A 22.3 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 269 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement DIF120SIC022-AQ
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC
Hoja de datos
435En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 121 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement DIF120SIC053
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC
Hoja de datos
448En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 121 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC SiC MOSFET, TO-247-3L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive
Hoja de datos
448En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 120 A 22.3 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 269 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement DIW120SIC022-AQ
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC
Hoja de datos
701En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 125 A 23 mOhms - 4 V, + 18 V 2.9 V 121 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC
Hoja de datos
445En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 121 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement