Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

DMT3006LFDF-7

Name: Diodes Incorporated DMT3006LFDF-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMT3006LFDF-7
Price: 0.62 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

621-DMT3006LFDF-7

Fabr. N.º:

DMT3006LFDF-7

Fabr.:

Diodes Incorporated

Descripción:

MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V

Hoja de datos:

DMT3006LFDF-7 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre Diodes Incorporated DMT3006LFDF-7

En existencias: 34.489

Existencias:: 34.489 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 24 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,628 €	0,63 €
	0,394 €	3,94 €
	0,273 €	27,30 €
	0,208 €	104,00 €
	0,187 €	187,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,144 €	432,00 €
	0,137 €	822,00 €
	0,129 €	1.161,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFN-2020-6
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	14.1 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	7 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1 V
Qg (carga de compuertas):	16.7 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	2.1 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Single
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Peso unitario:	6,750 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

DMT3006LFDF-7 Hoja de datos (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

DMTx MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

DMT3006LFDF-7 N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Diodes Incorporated DMT3006LFDF-7 MOSFET is a 30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET designed with a 0.6mm profile and 4mm² footprint. Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability, the DMT3006LFDF-7 MOSFET minimizes on-state resistance while maintaining excellent switching performance. The MOSFET offers a 5.8mΩ to 15mΩ on-state resistance, 1V to 3V gate threshold voltage, 12.5A to 14.1A continuous drain current, and 2.1W power dissipation. Switching performance includes a 4.6ns turn-off fall time, 5.5ns turn-on rise time, a typical 13.5ns turn-off delay time, a typical 3.5ns turn-on delay time, and 19.3 reverse recovery time. The 30V DMT3006LFDF-7 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET design makes the device ideal for high-efficiency power-management applications.

Gate Drivers

Diodes Incorporated Gate Drivers cover many applications in power systems and motor drives. These gate drivers act as the interface between the microcontroller and IGBT or MOSFET power switches. Diodes Incorporated gate drivers provide optimum drive characteristics while controlling shoot-through.