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FDA38N30

Name: onsemi FDA38N30
Brand: onsemi
SKU: 512-FDA38N30
Price: 4.33 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

512-FDA38N30

Fabr. N.º:

FDA38N30

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET UniFET1 300V N-chan MOSFET

Hoja de datos:

FDA38N30 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-3PN-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	300 V
Id: corriente de drenaje continuo:	38 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	70 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5 V
Qg (carga de compuertas):	60 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Pd (disipación de potencia):	312 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	UniFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Transconductancia delantera: mín.:	6.3 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	FDA38N30
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso unitario:	4,600 g

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

FDA38N30 Hoja de datos

PCN

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: República de Corea

El país puede cambiar en el momento del envío.

FDA38N30 Mosfet Power UniFET™ Transistors

onsemi FDA38N30 Mosfet Power UniFET™ Transistors are N-Channel enhancement mode power field effect transistors produced using proprietary, planar stripe, DMOS technology. onsemi's Mosfet Power UniFET Transistors utilize advanced technology that minimizes on-state resistance, provides superior switching performance, and withstands high-energy pulse in the avalanche and commutation mode. Features include fast switching, improved dv/dt capability, ESD improved capability, low gate charge, 300V drain to source voltage, and more.