ADPA7007 GaAs pHEMT MMIC Power Amplifiers

Analog Devices ADPA7007 GaAs pHEMT MMIC Power Amplifiers are pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT), monolithic microwave integrated circuit (MMIC), distributed power amplifier that operates from 18GHz to 44GHz. The amplifier provides a gain of 21.5dB, an output power for 1dB compression (P1dB) of 31dBm, and a typical output third-order intercept (IP3) of 41dBm. The ADPA7007 requires 1400mA from a 5V supply on the supply voltage (VDD) and features inputs and outputs that are internally matched to 50Ω, facilitating integration in multichip modules (MCMs). All data is taken with the chip connected via two 0.025mm wire bonds less than 0.31mm long.

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Frecuencia de operación Voltaje operativo de suministro Corriente de suministro operativa Ganancia NF - Valor de ruido Tipo Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Tecnología P1dB - Punto de compresión OIP3 - Interceptación de tercer pedido Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Empaquetado
Analog Devices Amplificador de RF 31 dBm P1dB, 20 dB gain
404Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

20 GHz to 44 GHz 5 V 1.4 A 20.5 dB 6 dB Power Amplifiers SMD/SMT CLCC-HS-18 GaAs 29 dBm 42.5 dBm - 40 C + 85 C Cut Tape
Analog Devices Amplificador de RF 31 dBm P1dB, 20 dB gain
No en almacén Plazo producción 39 Semanas
Mín.: 500
Múlt.: 500
Bobina: 500

20 GHz to 44 GHz 5 V 1.4 A 20.5 dB 6 dB SMD/SMT CLCC-HS-18 GaAs 29 dBm 41 dBm - 40 C + 85 C Reel