IS66WVC2M16ECLL-7010BLI-TR

ISSI
870-WVC2M16E7010BLIT
IS66WVC2M16ECLL-7010BLI-TR

Fabr.:

Descripción:
SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

Modelo ECAD:
Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
14 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Mínimo: 2500   Múltiples: 2500
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
3,85 € 9.625,00 €

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:
Embalaje:
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
4,92 €
Min:
1

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
ISSI
Categoría de producto: SRAM
RoHS:  
Reel
Marca: ISSI
Sensibles a la humedad: Yes
Tipo de producto: SRAM
Serie: IS66WVC2M16EALL
Cantidad del paquete de fábrica: 2500
Subcategoría: Memory & Data Storage
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla
Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:
8542324500
CNHTS:
8542320000
CAHTS:
8542320030
USHTS:
8542320041
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.