High Efficiency Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor High Efficiency Schottky Barrier Diodes are designed to improve the tradeoff between low VF and low IR. These diodes feature Trench MOS structure, 30A peak forward surge current, high reliability, and low capacitance. The YQ1MM10Ax high efficiency Schottky barrier diodes are used in applications such as switching power supplies, freewheel diodes, and reverse polarity protection.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Producto
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Configuración
Tecnología
If - Corriente delantera
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión delantera
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera
Ir - Corriente inversa
Temperatura operativa máxima
Cualificación
Empaquetado
ROHM Semiconductor Diodos y rectificadores Schottky RECT 100V 1A SM SCHOTTKY
Hoja de datos
2.035En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000
Schottky Diodes SMD/SMT SOD-123FL-2 Single Si 1 A 100 V 560 mV 30 A 10 uA + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodos y rectificadores Schottky RECT 100V 1A SM SCHOTTKY
Hoja de datos
6.927Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Schottky Diodes SMD/SMT SOD-123FL-2 Single Si 1 A 100 V 560 mV 30 A 10 uA + 175 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape