NXH010P120MNF1 SiC Module

onsemi NXH010P120MNF1 SiC Module contains a 10Mohm 1200V SiC MOSFET half-bridge and an NTC thermistor in an F1 module. The module has a recommended gate voltage of 18-20V. The NXH010P120MNF1 has an improved RDS(ON) at a higher voltage and low thermal resistance.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Serie
Empaquetado

onsemi Módulos MOSFET PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM(NI-PLATED)
Hoja de datos
23En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
SiC NXH010P120MNF1 Tray

onsemi Módulos MOSFET PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM(NI-PLATED + TIM)
Hoja de datos
1.148Disponible de fábrica
Más información disponible
Mín.: 28
Múlt.: 28
SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH010P120MNF1 Tray

onsemi Módulos MOSFET PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM
Hoja de datos
56Disponible de fábrica
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
SiC Press Fit Module N-Channel 1.2 kV 114 A 14 mOhms - 15 V, + 25 V 1.8 V - 40 C + 150 C 413 W NXH010P120MNF1 Tray
onsemi Módulos MOSFET PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM
Hoja de datos
168Disponible de fábrica
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH010P120MNF1 Tray