QPD1013SR

Qorvo
772-QPD1013SR
QPD1013SR

Fabr.:

Descripción:
FET de GaN DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
20 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Mínimo: 100   Múltiples: 100
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Precio total:
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Tarifa estimada:
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Precio (EUR)

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200 Cotización

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Qorvo
Categoría de producto: FET de GaN
RoHS:  
SMD/SMT
DFN-6
N-Channel
1.7 A
- 40 C
+ 85 C
67 W
Marca: Qorvo
Configuración: Single Triple Drain
Kit de desarrollo: QPD1013EVB01
Ganancia: 21.8 dB
Voltaje máximo drenaje puerta: 65 V
Frecuencia operativa máxima: 2.7 GHz
Frecuencia operativa mínima: 1.2 GHz
Sensibles a la humedad: Yes
Energía de salida: 178 W
Empaquetado: Reel
Tipo de producto: GaN FETs
Serie: QPD1013
Cantidad del paquete de fábrica: 100
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Tipo de transistor: HEMT
Alias de parte #: QPD1013
Peso unitario: 7,792 g
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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:
8517620000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8517620090
USHTS:
8541290055
ECCN:
EAR99

QPD1013 GaN RF Transistor

Qorvo QPD1013 GaN RF Transistor is a high-power, wide-bandwidth High Electron Mobility Transistor (HEMT) which operates from DC to 2.7GHz. This single-stage unmatched power transistor is a 150W discrete GaN on SiC device. The QPD1013 RF transistor features an over-molded plastic package and is suitable for numerous applications such as military radar, land mobile, and military radio communications.

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.