RFxDNZ Super Fast Recovery Diodes

ROHM Semiconductor RFxDNZ Super Fast Recovery Diodes are cathode common dual type diodes featuring low forward voltage and low switching loss. These recovery diodes include silicon epitaxial planar type construction. The RFxDNZ recovery diodes are stored at -55°C to 150°C temperature range. These fast recovery diodes operate at 150°C junction temperature and 10μA reverse current. The RFxDNZ super-fast recovery diodes are ideal for use in general rectification.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Vr - Tensión inversa
If - Corriente delantera
Tipo
Configuración
Vf - Tensión delantera
Corriente de sobretensión máx.
Ir - Corriente inversa
Tiempo de recuperación
Temperatura operativa máxima
Empaquetado
ROHM Semiconductor Rectificadores Super Fast Recovery Diode
Hoja de datos
5.721En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220FN-3 300 V 20 A Super Fast Recovery Diode Dual 1.3 V 100 A 10 uA 25 ns + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Rectificadores Super Fast Recovery Diode
Hoja de datos
1.015En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220FN-3 200 V 20 A Super Fast Recovery Diode Dual 930 mV 100 A 10 uA 30 ns + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Rectificadores Super Fast Recovery Diode
Hoja de datos
1.092En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220FN-3 200 V 10 A Super Fast Recovery Diode Dual 930 mV 80 A 10 uA 30 ns + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Rectificadores Super Fast Recovery Diode
Hoja de datos
976En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220FN-3 200 V 6 A Super Fast Recovery Diode Dual 930 mV 60 A 10 uA 25 ns + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Rectificadores Super Fast Recovery Diode
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000

Through Hole TO-220FN-3 200 V 16 A Super Fast Recovery Diode Dual 930 mV 100 A 10 uA 30 ns + 150 C Tube