FS3L200R10W3S7F_B11 EasyPACK™ 3-level IGBT Module

Infineon Technologies FS3L200R10W3S7F_B11 EasyPACK™ 3-level IGBT Module is a 950V, 200A dual boost module with 1200V CoolSiC™ diode, TRENCHSTOP™ IGBT7, NTC, and PressFIT contact technology. The FS3L200R10W3S7F_B11 offers a baseplate less design with PressFIT pins. Combining the F3L400R10W3S7F_B11 and F3L400R10W3S7_B11 provides a total solution for 1500V 3-phase PV string inverters.

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Producto Configuración Voltaje colector-emisor VCEO máx. Voltaje de saturación colector-emisor Corriente continua del colector a 25 C Corriente de fuga puerta-emisor Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Empaquetado
Infineon Technologies F3L400R10W3S7FB11BPSA1
Infineon Technologies Módulos IGBT 950 V, 400 A 3-level IGBT module 1En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 950 V 1.4 V 220 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT EasyPACK module with TRENCHSTOP IGBT7 & CoolSiC Schottky diode & PressFIT/NTC 8En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si/SiC Hybrid Modules 3-Phase Inverter 950 V 1.33 V 70 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray