NXV08H350XT1

onsemi
863-NXV08H350XT1
NXV08H350XT1

Fabr.:

Descripción:
Módulos MOSFET APM17-MDC MV7 80V ALN

Modelo ECAD:
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Precio (EUR)

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72,47 € 72,47 €
56,31 € 563,10 €
55,39 € 6.646,80 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Módulos MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
APM-17
80 V
757 uOhms
- 20 V, + 20 V
2 V
- 40 C
+ 125 C
NXV08H350XT1
Tube
Marca: onsemi
Configuración: Half-Bridge
Tiempo de caída: 196 ns
Tipo de producto: MOSFET Modules
Tiempo de establecimiento: 298 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 40
Subcategoría: Discrete and Power Modules
Tipo: Automotive Power MOSFET Module
Tiempo típico de retraso de apagado: 476 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 298 ns
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8504409100
USHTS:
8541290095
ECCN:
EAR99

NXV08H350XT1 MOSFET Module

onsemi NXV08H350XT1 MOSFET Module is a dual half bridge 80V automotive power MOSFET module with temperature sensing for 48V mild hybrid automotive applications. This 2-phase power MOSFET module is electrically isolated with Direct Bond Copper (DBC) substrate for low Rthjc. The NXV08H350XT1 module is compactly designed for low total module resistance, and the small, efficient, and reliable system design reduces vehicle fuel consumption and COemissions. The components inside the module are AEC-Q101 (MOSFET) and AEC-Q200 (passives) qualified. The NXV08H350XT1 power MOSFET module is ideally used in 48V inverter and 48V traction applications.