DMN3027x N-Channel MOSFETs

Diodes Incorporated DMN3027x N-Channel MOSFETs are designed to minimize the on-state resistance RDS(ON) and maintains superior switching performance. These MOSFETs operate at a temperature range from -55°C to +150°C. The DMN3027x MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Empaquetado
Diodes Incorporated MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 25Vgss 70A
12.000Fecha prevista: 01/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 5.3 A 13.5 mOhms - 25 V, 25 V 900 mV 11.3 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 25Vgss 70A No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel Reel