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SISS94DN-T1-GE3

Name: Vishay SISS94DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SISS94DN-T1-GE3
Price: 1.23 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

78-SISS94DN-T1-GE3

Fabr. N.º:

SISS94DN-T1-GE3

Fabr.:

Vishay Semiconductors

Descripción:

MOSFET N-CHANNEL 200-V(D-S) PowerPAK 1212-8S

Hoja de datos:

SISS94DN-T1-GE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,23 €	1,23 €
	0,776 €	7,76 €
	0,514 €	51,40 €
	0,402 €	201,00 €
	0,366 €	366,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,343 €	1.029,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PowerPAK-1212-8SH-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	200 V
Id: corriente de drenaje continuo:	19.5 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	75 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	11 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	65.8 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	7 ns
Transconductancia delantera: mín.:	12 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	5 ns
Serie:	SISS
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	20 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	12 ns
Peso unitario:	488,500 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SISS94DN ThunderFET® MOSFET

Vishay SISS94DN ThunderFET^® MOSFET is an N-channel 200V_DS device that uses TrenchFET^® with ThunderFET technology. This ThunderFET MOSFET optimizes the balance of R_DS(on), Q_g, Q_sw, and Q_oss. The device is 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested. This SISS94DN MOSFET is available in a PowerPAK 1212-8S package and is Lead (Pb)-free and halogen-free (SiSS94DN-T1-GE3). The MOSFET operates from -55°C to +150°C temperature range and comes in a single configuration. Typical applications include primary side switching, synchronous rectification, DC/DC topologies, lighting, load switches, and motor drive control.

ThunderFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix ThunderFET® Power MOSFETs provide low values of on-resistance for 100V MOSFETs with 4.5V ratings. The lower on-resistance translates into lower conduction losses and reduced power consumption for energy-saving green solutions. Vishay / Siliconix ThunderFET Power MOSFETs are optimized for primary-side switching and secondary-side synchronous rectification in isolated DC/DC power supply designs for telecom brick and bus converter applications. The 4.5V rating for on-resistance allows a wide range of PWM and gate driver ICs to be considered.