Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Tipo de producto
Tecnología
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Empaquetado / Estuche
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
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1.197Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor Módulos MOSFET 300A SiC Power Module
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3En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC AECQ
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442Fecha prevista: 27/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N
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Comentarios de Producto
450Fecha prevista: 23/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor Módulos de semiconductores discretos Half Bridge Module SiC DMOS & SBD 1200V
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No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Discrete Semiconductor Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor Módulos de semiconductores discretos SIC Pwr Module Chopper
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Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Discrete Semiconductor Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor Módulos MOSFET SIC Pwr Module Half Bridge
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No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 4
Múlt.: 4

MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC DIODE: 8A 600V
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No en almacén Plazo producción 21 Semanas
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC 650V 93A 339W SIC 22mOhm TO-247N
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Comentarios de Producto
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 450
Múlt.: 450

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 6A, 2nd Gen
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 21 Semanas

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2