PJQx43 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT PJQx43 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs are reliable and rugged MOSFETs with ±25V gate-source voltage and -55°C to 150°C operating temperature range. These MOSFETs are 100% UIS tested and are available in the DFN5060X-8L and DFN3333-8L packages. The PJQx43 P-Channel MOSFETs are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0 and are green molding compounds as per IEC 61249 standard.

Resultados: 8
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Empaquetado
Panjit MOSFET 30V P-Channel Standard Trench MOSFET
Hoja de datos
2.877En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060X-8 P-Channel 1 Channel 30 V 30 A 18.8 mOhms - 25 V, + 25 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit MOSFET 30V P-Channel Standard Trench MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 62 A 8.8 mOhms - 25 V, + 25 V 2.5 V 54 nC - 55 C + 150 C 54.3 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 30V P-Channel Standard Trench MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 41 A 12.5 mOhms - 25 V, + 25 V 2.5 V 34 nC - 55 C + 150 C 33.8 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 30V P-Channel Standard Trench MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 38 A 15.4 mOhms - 25 V, + 25 V 2.5 V 32 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 30V P-Channel Standard Trench MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 30 A - 25 V, + 25 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 30V P-Channel Standard Trench MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060X-8 P-Channel 1 Channel 30 V 68 A 8.4 mOhms - 25 V, + 25 V 2.5 V 54 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 30V P-Channel Standard Trench MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060X-8 P-Channel 1 Channel 30 V 43 A 12.1 mOhms - 25 V, + 25 V 2.5 V 34 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 30V P-Channel Standard Trench MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060X-8 P-Channel 1 Channel 30 V 38 A 15 mOhms - 25 V, + 25 V 2.5 V 32 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Reel