QPD2018D

Qorvo
772-QPD2018D
QPD2018D

Fabr.:

Descripción:
Transistores RF JFET 0.18 mm Pwr pHEMT

Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Qorvo
Categoría de producto: Transistores RF JFET
RoHS:  
pHEMT
GaAs
14 dB
SMD/SMT
0.41 mm x 0.34 mm
Reel
Marca: Qorvo
NF - Valor de ruido: 1 dB
Tipo de producto: RF JFET Transistors
Serie: QPD2018D
Cantidad del paquete de fábrica: 100
Subcategoría: Transistors
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
ECCN:
EAR99

QPD2018D 180um Discrete GaAs pHEMT Die

Qorvo QPD2018D 180um Discrete GaAs pHEMT Die utilizes Qorvo's proven standard 0.25um power pHEMT production process. This proven process features advanced techniques to optimize microwave power and efficiency at high drain bias operating conditions.