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BM60212FV-EVK001

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Mouser REF:

755-BM60212FV-EVK001

Fabr. N.º:

BM60212FV-EVK001

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía Isolation Gate Driver, High 1.2kV DC, Low Not Isolated, 75ns, 3A Output Current

Ciclo de vida:

NRND:

No se recomienda para nuevos diseños.

Hoja de datos:

BM60212FV-EVK001 Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía
RoHS:
Producto:	Evaluation Boards
Tipo:	Gate Driver
Voltaje de entrada:	15 V
La herramienta es para la evaluación de :	BM60212FV-C
Marca:	ROHM Semiconductor
Empaquetado:	Bulk
Tipo de producto:	Power Management IC Development Tools
Cantidad del paquete de fábrica:	1
Subcategoría:	Development Tools

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TARIC:: 8473302000
CNHTS:: 8543709990
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

BM60212FV-EVK001 Evaluation Board

ROHM Semiconductor BM60212FV-EVK001 Evaluation Board is designed to evaluate a BM60212FV-C driver. The BM60212FV-C IC is a high voltage high and low side driver that operates up to 1200V with the bootstrap operation. This IC provides a built-in Under-voltage Lockout (UVLO) power supply protection function at High-side floating supply voltage (V_CCA) and Low-side supply voltage (V_CCB). The BM60212FV-C IC also offers a built-in Active Miller Clamp function for gate control. The ROHM Semiconductor BM60212FV-EVK001 board is compatible with 3.3V and 5V input logic voltages. This evaluation board drives IGBT power devices for high-side and low-side on Half-Bridge applications.

Automotive Gate Driver Evaluation Boards

ROHM Semiconductor Automotive Gate Driver Evaluation Boards are demonstration boards designed to ease the development of applications based on ROHM automotive gate drivers. ROHM Semiconductor Automotive Gate Drivers are based on a unique microfabrication process to build an on-chip coreless transformer. This technology results in compact, robust, and reliable isolated gate drivers that are optimized for use with SiC (Silicon Carbide) power MOSFETs, providing an optimized solution for power circuit designs in industrial and automotive applications.