NXH100B120H3Q0 Dual Boost Power Modules

onsemi NXH100B120H3Q0 Dual Boost Power Modules feature high efficiency and superior reliability. The NXH100B120H3Q0 integrated field stop trench IGBTs and SiC Diodes provide lower conduction and switching losses. onsemi NXH100B120H3Q0 Dual Boost Power Modules are ideal for energy storage systems, solar inverters, and uninterruptible power supply (UPS) applications.

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
onsemi Módulos IGBT PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (PRESS-FIT PIN TIM)
Hoja de datos
28En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Modules SiC Press Fit Q0BOOST
onsemi NXH100B120H3Q0SG
onsemi Módulos de semiconductores discretos PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (SOLDER PIN)
Hoja de datos
24En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Discrete Semiconductor Modules Si
onsemi Módulos IGBT PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (SOLDER PIN TIM)
Hoja de datos
96Disponible de fábrica
Más información disponible
Mín.: 24
Múlt.: 24

IGBT Modules SiC Press Fit Q0BOOST
onsemi NXH100B120H3Q0PG
onsemi Módulos de semiconductores discretos PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (PRESS-FIT PIN)
Hoja de datos
480Disponible de fábrica
Más información disponible
Mín.: 24
Múlt.: 24
Discrete Semiconductor Modules Si