Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

¿Ve algún error?

SIZ240DT-T1-GE3

Name: Vishay SIZ240DT-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIZ240DT-T1-GE3
Price: 1.69 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

78-SIZ240DT-T1-GE3

Fabr. N.º:

SIZ240DT-T1-GE3

Fabr.:

Vishay / Siliconix

Descripción:

MOSFET DUAL N-CHANNEL Symm.PowerPAIR 3 x 3

Hoja de datos:

SIZ240DT-T1-GE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre Vishay / Siliconix SIZ240DT-T1-GE3

En existencias: 8.026

Existencias:: 8.026 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,69 €	1,69 €
	1,07 €	10,70 €
	0,711 €	71,10 €
	0,583 €	291,50 €
	0,511 €	511,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,47 €	1.410,00 €
	0,432 €	2.592,00 €
	0,421 €	3.789,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PowerPAIR-3x3S-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	48 A, 47 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	8 mOhms, 8.4 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 16 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.4 V
Qg (carga de compuertas):	15.2 nC, 14.2 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	33 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	5 ns, 10 ns
Transconductancia delantera: mín.:	39 S, 55 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	6 ns, 55 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	23 ns, 25 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	15 ns, 25 ns
Peso unitario:	143,050 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

SIZ240DT-T1-GE3 Hoja de datos

Application Notes

Models

SIZ240DT-T1-GE3 Symbol & Footprint by SnapMagic

PCN

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiZ240DT Dual N-Channel 40V (D-S) MOSFET

Vishay SiZ240DT Dual N-Channel 40V (D-S) MOSFET features TrenchFET^® Gen IV power MOSFET technology, with integrated high- and low-side MOSFETs in one compact PowerPAIR^® 3.3mm² package. The SiZ240DT provides best-in-class on-resistance and on-resistance times gate charge, a key Figure of Merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications.

PowerPAIR® Dual-MOSFETs

Vishay PowerPAIR® Dual-MOSFETs combine optimized combinations of MOSFETs in one compact package. The co-packaged Vishay PowerPAIR Dual-MOSFETs use less space and offer increased performance over separate discretes. By having the two MOSFETs already connected inside the PowerPAIR package, layouts are made easier and parasitic inductance from PCB traces are reduced, increasing efficiency.