OptiMOS™ PD (Power Delivery) MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ PD (Power Delivery) MOSFETs are ideal for USB-PD and fast-charger designs, supporting short lead and quick-quote response times. The logic-level MOSFETs in PQFN 3.3mm x 3.3mm and SuperSO8 packages have been optimized for synchronous rectification in charger and adapter 25V to 150V SMPS applications. The logic-level drive provides a low gate threshold voltage (VGS(th)), allowing low- and medium-voltage MOSFETs to be driven from 4.5V or directly from microcontrollers, leading to a lower part count in the application.

Resultados: 6
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS 4.307En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 30 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 4.002En existencias
5.000Fecha prevista: 15/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 64 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 11 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 4.165En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 86 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 15 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 3.897En existencias
10.000Fecha prevista: 29/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 56 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 8.7 nC - 55 C + 175 C 44 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 69En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 100 V 71 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 13 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 100 V 150 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 29 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel