Automotive U-MOSIX-H Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSIX-H Power MOSFETs are 40V N-channel power MOSFETs ideal for automotive applications. These devices are housed in a small, low-resistance SOP Advance (WF) package. They feature low on-resistance, which can reduce conduction loss. The U-MOSIX-H series also lowers switching noise compared with Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation’s previous series (U-MOSIV).

Resultados: 13
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Empaquetado
Toshiba MOSFET 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101 26.128En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.35 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 103 nC + 175 C 180 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101 17.266En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT DSOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.14 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 55 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101 1.831En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT TO-220SM-3 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 1.35 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 103 nC + 175 C 205 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101 4.727En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT SOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.14 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 55 nC + 175 C 132 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET PD=375W F=1MHZ AEC-Q101 757En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT TO-220SM-3 N-Channel 1 Channel 40 V 250 A 740 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 227 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101 7.881En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT SOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 790 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 85 nC + 175 C 170 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET S-TOGL N-CH 40V 160A 2.440En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

Si Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.65mohm(max) 23.074En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 420 A 410 uOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 110 nC + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.92mohm(max) 30.034En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 320 A 610 uOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 81 nC + 175 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101 3.581En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT DSOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 790 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 85 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101 989En existencias
14.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 103 nC + 175 C 205 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.24mohm(max)
13.044Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 74 nC + 175 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.34mohm(max)
4.904Fecha prevista: 15/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 280 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 91 nC + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel