NTJD5121N/NVJD5121N Dual N-Ch Power MOSFETs

onsemi NTJD5121N/NVJD5121N Dual N-Ch Power MOSFETs feature a low RDS(on), gate threshold, and input capacitance. The onsemi NTJD5121N/NVJD5121N MOSFETs feature a 60V drain-to-source voltage and 295A maximum continuous drain current. The NTJD5121N/NVJD5121N are AEC-Q101 qualified and PPAP capable, ideal for automotive applications.

Resultados: 4
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Empaquetado
onsemi MOSFET NFET SC88D 60V 295mA 192.676En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SC-88-6 N-Channel 2 Channel 60 V 295 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 900 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET NFET SC88 60V 295MA 1.6OH 19.798En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SC-88-6 N-Channel 2 Channel 60 V 295 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 900 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET NFET SC88D 60V 295mA 26.340En existencias
12.000Fecha prevista: 18/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SC-88-6 N-Channel 2 Channel 60 V 295 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 900 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET NFET SC88 60V 295MA 1.6OH 30.171En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SC-88-6 N-Channel 2 Channel 60 V 295 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 900 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel