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NVMYS9D3N06CLTWG

Name: onsemi NVMYS9D3N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMYS9D3N06CLTWG
Price: 1.36 EUR
Availability: Discontinued

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Mouser REF:

863-NVMYS9D3N06CLTWG

Fabr. N.º:

NVMYS9D3N06CLTWG

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET T6 60V LL LFPAK

Ciclo de vida:

NRND:

No se recomienda para nuevos diseños.

Hoja de datos:

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Modelo ECAD:

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Pedido:: 2.585

Fecha prevista: 05/06/2026
Plazo de producción de fábrica:: 47

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	1,36 €	1,36 €
	0,86 €	8,60 €
	0,573 €	57,30 €
	0,452 €	226,00 €
	0,411 €	411,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,36 €	1.080,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	LFPAK-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	50 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	9.2 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2 V
Qg (carga de compuertas):	9.5 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	46 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	2 ns
Transconductancia delantera: mín.:	37 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	25 ns
Serie:	NVMYS9D3N06CL
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	16 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	6 ns

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PCN

Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NVMYS9D3N06CL Power MOSFET

onsemi NVMYS9D3N06CL Power MOSFET is a 60V, 9.2mΩ, and 50A single N-channel MOSFET built with a compact and efficient design for high thermal performance. This MOSFET features low R_DS(ON) to minimize conduction losses and low gate charge (Q_G) and capacitance to minimize driver losses. The NVMYS9D3N06CL power MOSFET is AEC-Q101-qualified and is PPAP-capable. This MOSFET is suitable for reverse battery protection, power switches, switching power supplies, and other automotive applications requiring enhanced board-level reliability.

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