CoolSiC™ 1400V SiC G2 MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1400V Silicon Carbide (SiC) G2 MOSFETs are offered in a TO-247PLUS-4 reflow package. These Infineon MOSFETs are ideal for high-output power applications such as Electric Vehicle (EV) charging, Battery Energy Storage Systems (BESS), Commercial / Construction / Agricultural Vehicles (CAV), and more. The CoolSiC™ MOSFET G2 1400V technology is a cutting-edge technology offering improved thermal performance, increased power density, and enhanced reliability. The package features reflow capability (3x reflow soldering possible), enabling lower thermal resistance.

Resultados: 11
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Hoja de datos
162En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 92 A 53.8 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Hoja de datos
305En existencias
480Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 52 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 41 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Hoja de datos
146En existencias
240Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 74 A 67.6 Ohms - 10 V, + 25 V 5.1 V 62 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Hoja de datos
126En existencias
240Fecha prevista: 02/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 65 A 35 mOhms - 10 V, + 25 V 4.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
Hoja de datos
575En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SIC DISCRETE
Hoja de datos
203En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SIC DISCRETE
Hoja de datos
224En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
Hoja de datos
189En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SIC DISCRETE
Hoja de datos
230En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SIC DISCRETE
Hoja de datos
220En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET
Hoja de datos
240Fecha prevista: 06/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 240

Through Hole PG-TO247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 147 A 31.3 Ohms - 10 V to 25 V 4.2 V 130 nC - 55 C + 175 C 568 W Enhancement CoolSiC