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PSMB033N10NS2_R2_00201

Name: Panjit PSMB033N10NS2_R2_00201
Brand: Panjit
SKU: 241-PSMB033N10NS2R22
Price: 4.11 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

241-PSMB033N10NS2R22

Fabr. N.º:

PSMB033N10NS2_R2_00201

Fabr.:

Panjit

Descripción:

MOSFET 100V/ 3.3mohms / TO-263AB for Industrail market

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

PSMB033N10NS2_R2_00201 Hoja de datos (PDF)

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Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 800)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	4,11 €	4,11 €
	2,72 €	27,20 €
	2,12 €	212,00 €
	1,89 €	945,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 800)
	1,61 €	1.288,00 €
	1,52 €	3.648,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Panjit
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-263AB-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	100 V
Id: corriente de drenaje continuo:	219 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	3.3 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.8 V
Qg (carga de compuertas):	65 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	333 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Panjit
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4.9 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	4.9 ns
Serie:	PSM
Cantidad del paquete de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	24.7 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	15.5 ns
Peso unitario:	1,400 g

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PSMB033N10NS2_R2_00201 Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PSMB033N10NS2 100V N-Channel MOSFET

PANJIT PSMB033N10NS2 100V N-Channel MOSFET features a high switching speed and low reverse transfer capacitance. The PANJIT PSMB033N10NS2 is housed in a TO-263AB-L package. The device is ideal for battery management systems in industrial applications and is compliant with IEC 61249 and EU RoHS 2.0 standards, using a Green molding compound.

80V & 100V Shield Gate Trench N-Channel MOSFETs

PANJIT 80V and 100V Shield Gate Trench (SGT) N-Channel MOSFETs feature a low R_DS(ON) and a high switching speed. These devices offer low reverse transfer capacitance and utilize green molding compounds, as specified in the IEC 61249 standard. These PANJIT MV enhancement mode MOSFETs are lead-free and compliant with EU RoHS 2.0, and are 100% UIS/Rg tested. These devices are available in various low-profile packages that save space, including DFN3333S-8L, DFN5060-8L, DFN5060S-8L, TO-220AB-L, TO-252AA, TO-263, and TOLL. Typical applications include PD chargers, adapters, lighting, home appliances, and DC-DC converters.