1700V EliteSiC (Silicon Carbide) Diodes

onsemi 1700V EliteSiC (Silicon Carbide) Diodes use a technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. onsemi 1700V EliteSiC Diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching characteristics, and excellent thermal performance. System benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI and system size, and increased cost-effectiveness.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Configuración
If - Corriente delantera
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión delantera
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera
Ir - Corriente inversa
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
onsemi Diodos Schottky de SiC SIC JBS 1700V 25A
Hoja de datos
1.674En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 25 A 1.7 kV 1.5 V 220 A 40 uA - 55 C + 175 C NDSH25170A Tube
onsemi Diodos Schottky de SiC SIC JBS 1700V 10A TO247
Hoja de datos
619En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole Single 10 A 1.7 kV 1.5 V 105 A 40 uA - 55 C + 175 C NDSH10170A Tube