MOSFET de canal N TPH2R70AR5

El MOSFET TPH2R70AR5 de canal N de Toshiba ofrece una baja resistencia de encendido de la fuente de drenado y una baja corriente de fuga. El MOSFET de canal N de silicio es ideal para convertidores DC-DC de alta eficiencia, reguladores de tensión de conmutación y controladores de motor. El MOSFET de canal N de modo de mejora TPH2R70AR5 de Toshiba está disponible en un encapsulado SOP Advance (N).

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Empaquetado
Toshiba MOSFET 60V 1mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H
Hoja de datos
3.052En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 288 A 1.4 mOhms 20 V 3.6 V 80 nC + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET 40V 0.00067Ohm SOP Advance(N) U-MOS11-H
Hoja de datos
3.441En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 420 A 0.67 Ohms 20 V 2 V 88 nC + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 100 V, 0.0027 Ohma.10V, SOP Advance(N), U-MOS11-H
Hoja de datos
5.409En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 190 A 2.7 mOhms 20 V 4.3 V 52 nC + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape