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TP65H050G4WS

Name: Renesas Electronics TP65H050G4WS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H050G4WS
Price: 9.11 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

227-TP65H050G4WS

Fabr. N.º:

TP65H050G4WS

Fabr.:

Renesas Electronics

Descripción:

FET de GaN 650V, 50mohm GaN FET in TO247-3L

Hoja de datos:

TP65H050G4WS Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	5,45 €	54,50 €
	4,64 €	464,00 €
	4,47 €	4.023,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	34 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	60 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, + 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.8 V
Qg (carga de compuertas):	24 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	119 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Renesas Electronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10.9 ns
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de establecimiento:	11.3 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	900
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tiempo típico de retraso de apagado:	88.3 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	49.2 ns

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

650V 34A GaN FETs

Renesas Electronics 650V 34A GaN (Gallium Nitride) FETs are normally-off devices using Renesas Electronics's Gen IV platform. The FETs combine a high voltage GaN HEMT with a low voltage silicon MOSFET. The Gen IV SuperGaN® platform uses advanced epi and patented design technologies to simplify manufacturability while improving efficiency over silicon via lower gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. GaN FETs have inherently superior performance over traditional silicon FETs, offering faster switching and better thermal performance.