Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low RDS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.

Tipos de Semiconductores discretos
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
IXYS MOSFET 86 Amps 200V 29 Rds
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET TO3P 250V 86A N-CH TRENCH
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 96 Amps 250V 36 Rds
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3