Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low RDS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.

Tipos de Semiconductores discretos

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche
IXYS MOSFET TO3P 200V 130A N-CH TRENCH 1.140Disponible de fábrica
Mín.: 300
Múlt.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P
IXYS MOSFET TO3P 100V 60A N-CH TRENCH 1.170Disponible de fábrica
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P
IXYS MOSFET 102 Amps 150V No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 50
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET 130 Amps 100V No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 50
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)

IXYS MOSFET 102 Amps 0V No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 110 Amps 0V No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFET No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFET No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 160 Amps 150V No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFET No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode No en almacén Plazo producción 39 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFET 120A 300V No en almacén Plazo producción 25 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 250V 140A No en almacén Plazo producción 25 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFET 160A 300V No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFET 170 Amps 200V 0.014 Rds No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFET 102 Amps 0V No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFET 130 Amps 100V No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

IXYS MOSFET GigaMOS Power MOSFET No en almacén Plazo producción 25 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFET No en almacén Plazo producción 25 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 86A No en almacén Plazo producción 25 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS MOSFET 120V 300V No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 140A 250V No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 170A 200V No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFET 110 Amps 55V 6.7 Rds No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7
IXYS MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)