PSC20120x Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes

Nexperia PSC20120x Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are designed for ultra-high performance, low-loss, high-efficiency power conversion applications. The devices feature temperature-independent capacitive turn-off, zero recovery switching behavior, and an excellent figure-of-merit (QC x VF).

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Configuración
If - Corriente delantera
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión delantera
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera
Ir - Corriente inversa
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Empaquetado
Nexperia Diodos Schottky de SiC PSC20120J/SOT8018/TO263-2L
Hoja de datos
800En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-2 Single 20 A 1.2 kV 1.5 V 710 A 1 uA - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape
Nexperia Diodos Schottky de SiC PSC20120L/SOT8022/TO247-2L
Hoja de datos
450Fecha prevista: 28/06/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 20 A 1.2 kV 1.5 V 710 A 1 uA - 55 C + 175 C