MJD31C & MJD32C 100V 3A Bipolar Transistors

Nexperia MJD31C and MJD32C 100V 3A Bipolar Junction Transistors (BJT) offer high thermal power dissipation in a power DPAK, TO-252 (SOT428C) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. These devices provide high energy efficiency due to low heat generation and feature low collector-emitter saturation voltage. The Nexperia MJD31C and MJD32C are ideal for various applications, including linear voltage regulators, power management, and constant current drive backlighting.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Configuración
Corriente del colector DC máxima
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje emisor-base VEBO
Voltaje de saturación colector-emisor
Pd (disipación de potencia)
Producto fT para ganancia de ancho de banda
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Empaquetado
Nexperia Transistores bipolares - BJT SOT428 100V 3A NPN HI PWR BJT
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209En existencias
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Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 209
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 5 A 100 V 6 V 1.2 V 15 W 3 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistores bipolares - BJT SOT428 100V 3A PNP HI PWR BJT
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1.836En existencias
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Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 1.836
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) PNP Single 5 A 100 V 6 V 1.2 V 15 W 3 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistores bipolares - BJT SOT428 100V 3A PNP HI PWR BJT
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1.388En existencias
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Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 1.388
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) PNP Single 5 A 100 V 6 V 1.2 V 15 W 3 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel