MOSFET de potencia REXFET-1 de 100 V y 150 V

Los MOSFET de potencia REXFET-1 de 100 V y 150 V de Renesas Electronics implementan la tecnología de puerta dividida, que reduce de forma significativa la resistencia de conducción RDSON y la Figura de Mérito, ideales para aplicaciones de alta corriente. Los dispositivos se encuentran disponibles en paquetes TOLL (TO sin terminales), TOLG (TO con terminales en forma de ala de gaviota) y TOLT (TO refrigerado por la parte superior) para un rendimiento térmico excepcional y una capacidad de potencia máxima. Además, los MOSFET cuentan con un paquete con flancos humectables para un excelente rendimiento de la unión de soldadura. Los MOSFET REXFET-1 se encuentran calificados con AEC-Q100 y cuentan con un soporte PPAP para aplicaciones en el sector automotriz.